是实现 4F Square 高密度单元的基础。图源：三星10a 工艺被视为 DRAM 进入 10nm 以下节点的首代技术，其实际电路线宽约为 9.5 至 9.7nm。相比当前主流的 6F Square 设计，4F Square 结构将每个单元置于 2F×2F 的面积内，能在相同芯片面积下将单元密度提升约 30% 至 50%。新技术面临的主要挑战是材料变革。通道材料为降低漏电流并提升数据保持能力，已
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发布时间：00:15:48
